三星电子于其2025年度可连续成长陈诉中公布，已经开发出基在LPDDR DRAM的办事器内存模块SOCAMM2。这一新技能的推出标记着三星于内存模块市场的进一步扩大，特别是于AI办事器内存范畴。只管因为英伟达GB300 "Blackwell Ultra"主板设计的变更，SOCAMM模块还没有进入贸易化阶段，但其将来潜力依然被看好，估计将成为Vera Rubin平台的一部门，为Vera CPU提供更矫捷、易在维护的非板载内存选择。
SOCAMM内存模块的设计特色包括单条位宽128bit，采用单面四颗粒焊盘及三固定螺丝孔的物理布局，这类紧凑的形状设计使其更合适于办事器中举行批量安装及冷却。三星电子的这一举措不仅展示了其于内存技能上的立异能力，也为其于竞争激烈的市场中争夺了先机。
此外，三星电子还有于推进其1c纳米DRAM内存工艺的开发，已经得到出产预备核准，标记着其向量产转移的预备事情已经基本完成。这一新工艺的乐成将对于三星将来的营收体现孕育发生主要影响，特别是于高带宽内存（HBM）市场的竞争中。
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