近日,厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造出产线项目(一期)迎来庞大进展,首台装备提早搬入。该项目作为2025年福建省和厦门市重点设置装备摆设项目,同时也是厦门最年夜的碳化硅项目,其设置装备摆设进展备受存眷。
项目位在福建省厦门市,计划总修建面积达23.45万平方米,定位为具有国际进步前辈程度的8英寸 SiC功率器件制造平台。建成投产后,将极年夜晋升士兰微碳化硅芯片制造能力,进一步巩固其于中国第三代半导体财产链中的战略职位地方,有力助推厦门市第三代半导体财产加速成长。
士兰微是海内重要的综合型半导体设计与制造(IDM)企业之一,公司1997年景立,2003年3月于上海证券生意业务所主板上市。多年来专注在硅半导体及化合物半导体产物的设计、制造及封装,技能程度、业务范围、盈利能力等于海内偕行中均位居前列。其于厦门已经结构多个庞大项目,如士兰集科 “12英寸特点工艺芯片出产线” 及士兰明镓 “进步前辈化合物半导体器件出产线”,8英寸碳化硅功率器件芯片制造出产线项目是其又一主要结构。
士兰微于碳化硅范畴连续发力,不停取患上新冲破。早于2017年就最先举行碳化硅财产结构,今朝已经实现产能的慢慢扩展。2021年8月,士兰微SiC功率器件中试线实现通线,并在2022年完成车规级SiC MOSFET器件的研发并向客户送样、最先量产。2022年7月,士兰明镓公布设置装备摆设二期项目,规划新增6英寸SiC MOSFET芯片12万片/年、6英寸SiC SBD芯片2.4万片/年的出产能力。2024年6月,厦门士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造出产线项目动工,总投资120亿,两期设置装备摆设完成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片的出产能力。
此前4月8日,士兰微发布通知布告披露相干碳化硅项目进展。截止其时,其士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片出产线项目已经形成月产9,000片6吋SiC MOS芯片的出产能力,第Ⅳ代SiC芯片与模块已经送客户评测,基在第Ⅳ代SiC芯片的功率模块估计将在2025年上量。而士兰集宏8吋SiC mini line已经实现通线,估计将于2025年4季度实现周全通线并试出产,以遇上2026年车用SiC市场的快速发展。
如今士兰微8英寸碳化硅项目首台装备的提早搬入,预示着项目将快速进入装备安装与调试阶段,有望按规划实现通线及试出产。这不仅将晋升士兰微自身的市场竞争力,也将为海内碳化硅芯片市场注入新的活气,鞭策新能源汽车、光伏、储能等多个行业的成长。
除了了于项目推进上结果斐然,士兰微于公司内部架构调解方面一样动作几次。6月25日,士兰微发布通知布告,自力董事何乐年因持续任职满六年提交告退陈诉,于新任选出前仍履职。于公司营业结构拓展上,士兰微近期也有新动作。天眼查App显示,近期厦门士兰集华微电子有限公司正式建立,注册本钱达1000万人平易近币,由杭州士兰微电子株式会社全资持股,笼罩集成电路全营业,深化垂直整合,为成长蓄势。
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