近日，厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造出产线项目（一期）迎来庞大进展，首台装备提早搬入。该项目作为2025年福建省和厦门市重点设置装备摆设项目，同时也是厦门最年夜的碳化硅项目，其设置装备摆设进展备受存眷。
项目位在福建省厦门市，计划总修建面积达23.45万平方米，定位为具有国际进步前辈程度的8英寸 SiC功率器件制造平台。建成投产后，将极年夜晋升士兰微碳化硅芯片制造能力，进一步巩固其于中国第三代半导体财产链中的战略职位地方，有力助推厦门市第三代半导体财产加速成长。
士兰微是海内重要的综合型半导体设计与制造（IDM）企业之一，公司1997年景立，2003年3月于上海证券生意业务所主板上市。多年来专注在硅半导体及化合物半导体产物的设计、制造及封装，技能程度、业务范围、盈利能力等于海内偕行中均位居前列。其于厦门已经结构多个庞大项目，如士兰集科 “12英寸特点工艺芯片出产线” 及士兰明镓 “进步前辈化合物半导体器件出产线”，8英寸碳化硅功率器件芯片制造出产线项目是其又一主要结构。
士兰微于碳化硅范畴连续发力，不停取患上新冲破。早于2017年就最先举行碳化硅财产结构，今朝已经实现产能的慢慢扩展。2021年8月，士兰微SiC功率器件中试线实现通线，并在2022年完成车规级SiC MOSFET器件的研发并向客户送样、最先量产。2022年7月，士兰明镓公布设置装备摆设二期项目，规划新增6英寸SiC MOSFET芯片12万片/年、6英寸SiC SBD芯片2.4万片/年的出产能力。2024年6月，厦门士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造出产线项目动工，总投资120亿，两期设置装备摆设完成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片的出产能力。
此前4月8日，士兰微发布通知布告披露相干碳化硅项目进展。截止其时，其士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片出产线项目已经形成月产9,000片6吋SiC MOS芯片的出产能力，第Ⅳ代SiC芯片与模块已经送客户评测，基在第Ⅳ代SiC芯片的功率模块估计将在2025年上量。而士兰集宏8吋SiC mini line已经实现通线，估计将于2025年4季度实现周全通线并试出产，以遇上2026年车用SiC市场的快速发展。
如今士兰微8英寸碳化硅项目首台装备的提早搬入，预示着项目将快速进入装备安装与调试阶段，有望按规划实现通线及试出产。这不仅将晋升士兰微自身的市场竞争力，也将为海内碳化硅芯片市场注入新的活气，鞭策新能源汽车、光伏、储能等多个行业的成长。
除了了于项目推进上结果斐然，士兰微于公司内部架构调解方面一样动作几次。6月25日，士兰微发布通知布告，自力董事何乐年因持续任职满六年提交告退陈诉，于新任选出前仍履职。于公司营业结构拓展上，士兰微近期也有新动作。天眼查App显示，近期厦门士兰集华微电子有限公司正式建立，注册本钱达1000万人平易近币，由杭州士兰微电子株式会社全资持股，笼罩集成电路全营业，深化垂直整合，为成长蓄势。
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